Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / GL12T-E3-18
Herstellerteilenummer | GL12T-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GL12T-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GL12T-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.3V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 24V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 300W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 2.5pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL12T-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GL12T-E3-18-FT |
SMF5V0A-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF5V0A-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF5V0A-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V5A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel