Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Stromwandler / GO 30-SMS
Herstellerteilenummer | GO 30-SMS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GO 30-SMS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GO-SMS |
GO 30-SMS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Zum Messen | AC/DC |
Sensorart | Hall Effect |
Strommessung | 30A |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Ausgabe | Ratiometric, Voltage |
Empfindlichkeit | 26.7mV/A |
Frequenz | DC ~ 300kHz |
Linearität | ±0.3% |
Richtigkeit | ±1.3% |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Reaktionszeit | 2µs |
Strom - Versorgung (max.) | 25mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Polarisation | Bidirectional |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
- | |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GO 30-SMS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GO 30-SMS-FT |
DRV421RTJT
Texas Instruments
DRV421RTJR
Texas Instruments
SI8501-C-IS
Silicon Labs
SI8501-C-ISR
Silicon Labs
SI8502-C-IS
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SI8502-C-ISR
Silicon Labs
SI8503-C-IS
Silicon Labs
SI8503-C-ISR
Silicon Labs
SI8511-C-IS
Silicon Labs
SI8511-C-ISR
Silicon Labs
XC4013XL-3HT144C
Xilinx Inc.
XC2S100-5FG456I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZUCG81I
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A1425A-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGL250V2-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C7N
Intel
EP4CGX22CF19C7N
Intel