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GP1M008A080H Image

Global Power Technologies Group GP1M008A080H

MFG-Teilenummer
GP1M008A080H
verfügbare Anzahl
59750 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
GP1M008A080H.pdf
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GP1M008A080H Spezifikationen

Herstellerteilenummer GP1M008A080H
Zukünftige Teilenummer FT-GP1M008A080H
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GP1M008A080H Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1921pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M008A080H Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GP1M008A080H-FT

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