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Global Power Technologies Group GP1M009A090N

Name: GP1M009A090N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M009A090N
Availability: InStock
Rating: 4.8 (10 reviews)

MFG-Teilenummer: GP1M009A090N

verfügbare Anzahl: 40040 Stücke

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Hersteller: Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GP1M009A090N.pdf

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GP1M009A090N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GP1M009A090N
Zukünftige Teilenummer	FT-GP1M009A090N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GP1M009A090N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2324pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	312W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3PN
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M009A090N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GP1M009A090N-FT

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