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Global Power Technologies Group GP1M010A080N

Name: GP1M010A080N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M010A080N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (666 reviews)

MFG-Teilenummer: GP1M010A080N

verfügbare Anzahl: 75950 Stücke

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Hersteller: Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GP1M010A080N.pdf

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GP1M010A080N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GP1M010A080N
Zukünftige Teilenummer	FT-GP1M010A080N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GP1M010A080N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	312W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3PN
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M010A080N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GP1M010A080N-FT

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