Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / GP2D020A060B
Herstellerteilenummer | GP2D020A060B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GP2D020A060B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Amp+™ |
GP2D020A060B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 58A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 20A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 70µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 1054pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | -50°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D020A060B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GP2D020A060B-FT |
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel