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Global Power Technologies Group GP2M007A080F

Name: GP2M007A080F
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M007A080F
Availability: InStock
Rating: 5.0 (309 reviews)

MFG-Teilenummer: GP2M007A080F

verfügbare Anzahl: 42770 Stücke

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Hersteller: Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GP2M007A080F.pdf

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GP2M007A080F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GP2M007A080F
Zukünftige Teilenummer	FT-GP2M007A080F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GP2M007A080F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220F
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M007A080F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GP2M007A080F-FT

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