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Global Power Technologies Group GP2M009A090NG

MFG-Teilenummer
GP2M009A090NG
verfügbare Anzahl
12940 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
GP2M009A090NG.pdf
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GP2M009A090NG Spezifikationen

Herstellerteilenummer GP2M009A090NG
Zukünftige Teilenummer FT-GP2M009A090NG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GP2M009A090NG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 312W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-3PN
Paket / fall TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M009A090NG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GP2M009A090NG-FT

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