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Global Power Technologies Group GP2M012A080NG

Name: GP2M012A080NG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M012A080NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (547 reviews)

MFG-Teilenummer: GP2M012A080NG

verfügbare Anzahl: 44210 Stücke

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Hersteller: Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GP2M012A080NG.pdf

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GP2M012A080NG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GP2M012A080NG
Zukünftige Teilenummer	FT-GP2M012A080NG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GP2M012A080NG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	416W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3PN
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M012A080NG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GP2M012A080NG-FT

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