Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / GPA030A135MN-FDR
Herstellerteilenummer | GPA030A135MN-FDR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GPA030A135MN-FDR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GPA030A135MN-FDR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1350V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 60A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Leistung max | 329W |
Energie wechseln | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 300nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/145ns |
Testbedingung | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3 |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA030A135MN-FDR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GPA030A135MN-FDR-FT |
IRGP6690DPBF
Infineon Technologies
IRGPC30FD2
Infineon Technologies
IRGPC40FD2
Infineon Technologies
IRGPC40S
Infineon Technologies
IRGPC40U
Infineon Technologies
IRGPC40UD2
Infineon Technologies
IRGPC50F
Infineon Technologies
IRGPC50FD2
Infineon Technologies
IRGPC50U
Infineon Technologies
IRGPC50UD2
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel