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Herstellerteilenummer | GS1DE-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GS1DE-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GS1DE-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMAE) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GS1DE-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GS1DE-TP-FT |
GKR26/08
GeneSiC Semiconductor
GKR26/12
GeneSiC Semiconductor
GKR26/16
GeneSiC Semiconductor
GL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34A-TP
Micro Commercial Co
GL34B-TP
Micro Commercial Co
GL34D-TP
Micro Commercial Co
GL34G-TP
Micro Commercial Co
GL34J-TP
Micro Commercial Co
GL34K-TP
Micro Commercial Co
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel