Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / GSOT08C-E3-18
Herstellerteilenummer | GSOT08C-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GSOT08C-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GSOT08C-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 2 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 19.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 18A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 345W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 160pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT08C-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GSOT08C-E3-18-FT |
VESD05A5A-HSF-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLIN26A1-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL15T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel