Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / GSOT12-E3-18
Herstellerteilenummer | GSOT12-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GSOT12-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GSOT12-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 26V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 12A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 312W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 115pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT12-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GSOT12-E3-18-FT |
GSOT12C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL15T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation