Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / GSOT12-HE3-08
Herstellerteilenummer | GSOT12-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GSOT12-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
GSOT12-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 26V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 12A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 312W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 115pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT12-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GSOT12-HE3-08-FT |
GSOT05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation