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Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Name: GT60N321(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT60N321(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (417 reviews)

MFG-Teilenummer: GT60N321(Q)

verfügbare Anzahl: 27350 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GT60N321(Q).pdf

GT60N321(Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GT60N321(Q)
Zukünftige Teilenummer	FT-GT60N321(Q)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GT60N321(Q) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
IGBT-Typ	-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 60A
Leistung max	170W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	-
Td (ein / aus) bei 25 ° C	330ns/700ns
Testbedingung	-
Reverse Recovery Time (trr)	2.5µs
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	TO-3PL
Supplier Device Package	TO-3P(LH)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT60N321(Q) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GT60N321(Q)-FT

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