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GT60N321(Q) Image

Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

MFG-Teilenummer
GT60N321(Q)
verfügbare Anzahl
27350 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
GT60N321(Q).pdf
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GT60N321(Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer GT60N321(Q)
Zukünftige Teilenummer FT-GT60N321(Q)
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GT60N321(Q) Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Leistung max 170W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Charge -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 330ns/700ns
Testbedingung -
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-3PL
Supplier Device Package TO-3P(LH)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT60N321(Q) Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GT60N321(Q)-FT

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