Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11A1M-V
Herstellerteilenummer | H11A1M-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11A1M-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11A1M-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 50% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1M-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11A1M-V-FT |
CNY17F3SR2M
ON Semiconductor
4N30SR2M
ON Semiconductor
4N26SM
ON Semiconductor
4N273S
ON Semiconductor
4N273SD
ON Semiconductor
4N27FM
ON Semiconductor
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF484C8G
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2M50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C5N
Intel