Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11A5S1(TB)-V
Herstellerteilenummer | H11A5S1(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11A5S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11A5S1(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 30% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A5S1(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11A5S1(TB)-V-FT |
CNY17-1S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S1(TA)
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CNY17-1S1(TA)-V
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CNY17-1S1(TB)
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CNY17-1S1(TB)-V
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CNY17-2S(TA)
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CNY17-2S(TA)-V
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CNY17-2S(TB)
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CNY17-2S(TB)-V
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG256M
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
M2GL005-VF400
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8K3F40C2N
Intel
EP3SL110F1152C4
Intel
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation