Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11A617B3S
Herstellerteilenummer | H11A617B3S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11A617B3S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11A617B3S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5300Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 63% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 125% @ 10mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2.4µs, 2.4µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 70V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.35V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 50mA |
Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 4-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A617B3S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11A617B3S-FT |
EL816(S1)(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(C)(TB)-V
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EL816(S1)(D)(TA)
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EL816(S1)(D)(TA)-V
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EL816(S1)(D)(TB)
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EL816(S1)(D)(TB)-V
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EL816(S1)(TA)
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EL816(S1)(TA)-V
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EL816(S1)(TB)
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XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGSMD5K3F40I4N
Intel
5SGXMABK3H40I3N
Intel
5SGXEA7H3F35C3N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144
Microsemi Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel
EP1K100QC208-3
Intel