Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11A817DW
Herstellerteilenummer | H11A817DW |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11A817DW |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11A817DW Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5300Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 300% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2.4µs, 2.4µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 70V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 50mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 4-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A817DW Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11A817DW-FT |
EL816(M)(A)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(A)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(B)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(B)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(C)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(C)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(D)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(D)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(X)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(X)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C5
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
10CX220YF672I6G
Intel
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
10AX022E3F29E1SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel
10M02DCV36I7G
Intel