ON Semiconductor H11B1M
- MFG-Teilenummer
- H11B1M
- verfügbare Anzahl
- 45120 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.728
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- H11B1M.pdf
H11B1M Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | H11B1M |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-H11B1M |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| H11B1M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannung - Isolation | 4170Vrms |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 500% @ 1mA |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 25µs, 18µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 80mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 6-DIP |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| H11B1M Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | H11B1M-FT |
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