Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11G1TVM
Herstellerteilenummer | H11G1TVM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11G1TVM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11G1TVM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 4170Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 1000% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 100V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11G1TVM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11G1TVM-FT |
ILQ615-1X009
Vishay Semiconductor Opto Division
ILQ615-3X007
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ILQ615-3X007T
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XC3S500E-4FT256I
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XC6SLX150T-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456I
Xilinx Inc.
5AGZME5K2F40C3N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
EP4SGX290NF45C4N
Intel
A3P060-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel
EP1SGX40DF1020C6
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