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ON Semiconductor H11G2VM

Name: H11G2VM
Brand: ON Semiconductor
SKU: H11G2VM
Price: 0.427624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (112 reviews)

MFG-Teilenummer: H11G2VM

verfügbare Anzahl: 51400 Stücke

Referenzpreis: USD 0.427624

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: H11G2VM.pdf

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H11G2VM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	H11G2VM
Zukünftige Teilenummer	FT-H11G2VM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
H11G2VM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Anzahl der Kanäle	1
Spannung - Isolation	4170Vrms
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)	1000% @ 10mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)	-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)	5µs, 100µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)	-
Eingabetyp	DC
Ausgabetyp	Darlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)	80V
Strom - Ausgang / Kanal	-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.)	60mA
Vce-Sättigung (max.)	1V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 100°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package	6-DIP
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H11G2VM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	H11G2VM-FT

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