Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / H856R2BZA
Herstellerteilenummer | H856R2BZA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H856R2BZA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Holco, Holsworthy |
H856R2BZA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 56.2 Ohms |
Toleranz | ±0.1% |
Leistung (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Zusammensetzung | Metal Film |
Eigenschaften | Pulse Withstanding |
Temperaturkoeffizient | ±100ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H856R2BZA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H856R2BZA-FT |
H851R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BZA
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H851RBYA
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H851RFCA
TE Connectivity Passive Product
H851RFDA
TE Connectivity Passive Product
H851RFYA
TE Connectivity Passive Product
H851RFZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel