Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HBAT-540B-TR1G
Herstellerteilenummer | HBAT-540B-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HBAT-540B-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HBAT-540B-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 430mA |
Kapazität @ Vr, F | - |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 825mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HBAT-540B-TR1G-FT |
BA892H6127XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
Infineon Technologies
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies
BA895H6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies
BAR6302WH6327XTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel
EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel