Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HBAT-540B-TR1
Herstellerteilenummer | HBAT-540B-TR1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HBAT-540B-TR1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HBAT-540B-TR1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 430mA |
Kapazität @ Vr, F | - |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 825mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HBAT-540B-TR1-FT |
BA 895 E6327
Infineon Technologies
BA892H6127XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
Infineon Technologies
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies
BA895H6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel