Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HBAT-540B-TR2G
Herstellerteilenummer | HBAT-540B-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HBAT-540B-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HBAT-540B-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 430mA |
Kapazität @ Vr, F | - |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 825mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HBAT-540B-TR2G-FT |
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
Infineon Technologies
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies
BA895H6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies
BAR6302WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT 62-02W E6327
Infineon Technologies
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel