Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / HBDM60V600W-7
Herstellerteilenummer | HBDM60V600W-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HBDM60V600W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HBDM60V600W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN, PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA, 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V, 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBDM60V600W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HBDM60V600W-7-FT |
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BV-7
Diodes Incorporated
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel