Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / HCT7000M
Herstellerteilenummer | HCT7000M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HCT7000M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HCT7000M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 3-SMD |
Paket / fall | 3-SMD, No Lead |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT7000M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HCT7000M-FT |
IRF9530L
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel