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Herstellerteilenummer | HER102S-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HER102S-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HER102S-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40V |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | A-405 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER102S-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HER102S-TP-FT |
GL34M-TP
Micro Commercial Co
GP10-4002-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-5016M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel