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Herstellerteilenummer | HER103S-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HER103S-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HER103S-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40V |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | A-405 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER103S-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HER103S-TP-FT |
GP10-4002-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-5016M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel