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Herstellerteilenummer | HER104S-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HER104S-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HER104S-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40V |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | A-405 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER104S-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HER104S-TP-FT |
GP10-4002E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-5016M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BE-075E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel