Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HER105G B0G
Herstellerteilenummer | HER105G B0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HER105G B0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HER105G B0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER105G B0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HER105G B0G-FT |
1N4002GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel