Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HERF1007GAHC0G
Herstellerteilenummer | HERF1007GAHC0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HERF1007GAHC0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
HERF1007GAHC0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERF1007GAHC0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HERF1007GAHC0G-FT |
RS3B M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3D M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3D R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3G M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3J M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3K R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3M M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3M R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel