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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

MFG-Teilenummer
HGT1S10N120BNST
verfügbare Anzahl
95280 Stücke
Referenzpreis
USD 1.442368
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
HGT1S10N120BNST.pdf
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HGT1S10N120BNST Spezifikationen

Herstellerteilenummer HGT1S10N120BNST
Zukünftige Teilenummer FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HGT1S10N120BNST Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max 298W
Energie wechseln 320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/165ns
Testbedingung 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HGT1S10N120BNST-FT

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