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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

Name: HGT1S10N120BNST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Price: 1.442368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

MFG-Teilenummer: HGT1S10N120BNST

verfügbare Anzahl: 95280 Stücke

Referenzpreis: USD 1.442368

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HGT1S10N120BNST.pdf

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HGT1S10N120BNST Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HGT1S10N120BNST
Zukünftige Teilenummer	FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HGT1S10N120BNST Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Leistung max	298W
Energie wechseln	320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	23ns/165ns
Testbedingung	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HGT1S10N120BNST-FT

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