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ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS

Name: HGT1S12N60A4DS
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S12N60A4DS
Price: 2.617008 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (78 reviews)

MFG-Teilenummer: HGT1S12N60A4DS

verfügbare Anzahl: 55210 Stücke

Referenzpreis: USD 2.617008

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HGT1S12N60A4DS.pdf

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HGT1S12N60A4DS Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HGT1S12N60A4DS
Zukünftige Teilenummer	FT-HGT1S12N60A4DS
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HGT1S12N60A4DS Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	96A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 12A
Leistung max	167W
Energie wechseln	55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	17ns/96ns
Testbedingung	390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	30ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S12N60A4DS Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HGT1S12N60A4DS-FT

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