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ON Semiconductor HGT1S12N60A4S9A

MFG-Teilenummer
HGT1S12N60A4S9A
verfügbare Anzahl
76280 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
HGT1S12N60A4S9A.pdf
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HGT1S12N60A4S9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer HGT1S12N60A4S9A
Zukünftige Teilenummer FT-HGT1S12N60A4S9A
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HGT1S12N60A4S9A Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Leistung max 167W
Energie wechseln 55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/96ns
Testbedingung 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S12N60A4S9A Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HGT1S12N60A4S9A-FT

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