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ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTD1N120BNS9A
Price: 0.546592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (722 reviews)

MFG-Teilenummer: HGTD1N120BNS9A

verfügbare Anzahl: 16530 Stücke

Referenzpreis: USD 0.546592

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HGTD1N120BNS9A.pdf

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HGTD1N120BNS9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HGTD1N120BNS9A
Zukünftige Teilenummer	FT-HGTD1N120BNS9A
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HGTD1N120BNS9A Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	5.3A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	6A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 1A
Leistung max	60W
Energie wechseln	70µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	15ns/67ns
Testbedingung	960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package	TO-252AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD1N120BNS9A Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HGTD1N120BNS9A-FT

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