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ON Semiconductor HGTG10N120BND
- MFG-Teilenummer
- HGTG10N120BND
- verfügbare Anzahl
- 99000 Stücke
- Referenzpreis
- USD 3.16
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - IGBT 1200V 35A 298W TO247
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Single
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- HGTG10N120BND.pdf
HGTG10N120BND Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | HGTG10N120BND |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-HGTG10N120BND |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| HGTG10N120BND Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Leistung max | 298W |
| Energie wechseln | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 23ns/165ns |
| Testbedingung | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTG10N120BND Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | HGTG10N120BND-FT |
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