Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / HGTG12N60B3
Herstellerteilenummer | HGTG12N60B3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HGTG12N60B3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HGTG12N60B3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 27A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
Leistung max | 104W |
Energie wechseln | 150µJ (on), 250µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 51nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 26ns/150ns |
Testbedingung | 480V, 12A, 25 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG12N60B3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HGTG12N60B3-FT |
IKU10N60RBKMA1
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IKU15N60RBKMA1
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IKA15N65ET6XKSA2
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IRG4IBC20FD
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IRG4IBC20W
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LFXP6C-5T144C
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XCKU040-2FBVA676I
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LAE3-35EA-6LFTN256E
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5CGXFC4C6F27C6N
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EP4CE75F23C7N
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EP3SE260F1517C3N
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EP4SE530F43C2N
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQ160
Microsemi Corporation