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ON Semiconductor HGTG30N60B3D

MFG-Teilenummer
HGTG30N60B3D
verfügbare Anzahl
13440 Stücke
Referenzpreis
USD 5.448
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- IGBT 600V 60A 208W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
HGTG30N60B3D.pdf
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HGTG30N60B3D Spezifikationen

Herstellerteilenummer HGTG30N60B3D
Zukünftige Teilenummer FT-HGTG30N60B3D
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HGTG30N60B3D Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Leistung max 208W
Energie wechseln 550µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 36ns/137ns
Testbedingung 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-247-3
Supplier Device Package TO-247
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTG30N60B3D Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HGTG30N60B3D-FT

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