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ON Semiconductor HGTP10N120BN

Name: HGTP10N120BN
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTP10N120BN
Price: 1.427168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (648 reviews)

MFG-Teilenummer: HGTP10N120BN

verfügbare Anzahl: 99380 Stücke

Referenzpreis: USD 1.427168

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HGTP10N120BN.pdf

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HGTP10N120BN Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HGTP10N120BN
Zukünftige Teilenummer	FT-HGTP10N120BN
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HGTP10N120BN Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Leistung max	298W
Energie wechseln	320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	23ns/165ns
Testbedingung	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP10N120BN Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HGTP10N120BN-FT

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