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ON Semiconductor HGTP12N60A4D
- MFG-Teilenummer
- HGTP12N60A4D
- verfügbare Anzahl
- 75040 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.352
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - IGBT 600V 54A 167W TO220AB
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Single
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- HGTP12N60A4D.pdf
HGTP12N60A4D Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | HGTP12N60A4D |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-HGTP12N60A4D |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| HGTP12N60A4D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Leistung max | 167W |
| Energie wechseln | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/96ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTP12N60A4D Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | HGTP12N60A4D-FT |
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