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Herstellerteilenummer | HM17-875470LF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HM17-875470LF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HM17 |
HM17-875470LF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 47µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.3A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.307" Dia (7.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.295" (7.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HM17-875470LF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HM17-875470LF-FT |
HM17-654220LF
TT Electronics/BI Magnetics
HM17-654221LF
TT Electronics/BI Magnetics
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HM17-654471LF
TT Electronics/BI Magnetics
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel