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Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE(TE85L,F)
- MFG-Teilenummer
- HN2D01JE(TE85L,F)
- verfügbare Anzahl
- 85870 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.07056
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Dioden - Gleichrichter - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- HN2D01JE(TE85L,F).pdf
HN2D01JE(TE85L,F) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | HN2D01JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-HN2D01JE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| HN2D01JE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.6ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 80V |
| Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-553 |
| Supplier Device Package | ESV |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HN2D01JE(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | HN2D01JE(TE85L,F)-FT |
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