Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN3C10FUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

MFG-Teilenummer: HN3C10FUTE85LF

verfügbare Anzahl: 18040 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HN3C10FUTE85LF.pdf

Angebot anfordern für HN3C10FUTE85LF

Name der Firma

Gesprächspartner

Telefonnummer

Adresse

Email

Botschaft

HN3C10FUTE85LF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HN3C10FUTE85LF
Zukünftige Teilenummer	FT-HN3C10FUTE85LF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HN3C10FUTE85LF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	2 NPN (Dual)
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	12V
Frequenz - Übergang	7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Gewinnen	11.5dB
Leistung max	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	80mA
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package	US6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C10FUTE85LF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HN3C10FUTE85LF-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns