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Herstellerteilenummer | HS1GL RTG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HS1GL RTG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HS1GL RTG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1GL RTG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HS1GL RTG-FT |
ES1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
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XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
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LCMXO2-4000HC-4BG256I
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EP2AGX45DF29C6N
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