Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HS1KL R3G
Herstellerteilenummer | HS1KL R3G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-HS1KL R3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HS1KL R3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1KL R3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HS1KL R3G-FT |
RS1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel