Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HS1M M2G
Herstellerteilenummer | HS1M M2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HS1M M2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HS1M M2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1M M2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HS1M M2G-FT |
SK24A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK315AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel