Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HSM830GE3/TR13
Herstellerteilenummer | HSM830GE3/TR13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSM830GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSM830GE3/TR13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM830GE3/TR13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSM830GE3/TR13-FT |
IDP1301GXUMA1
Infineon Technologies
RB520G-30 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel