Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HSM835GE3/TR13
Herstellerteilenummer | HSM835GE3/TR13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSM835GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSM835GE3/TR13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 35V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835GE3/TR13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSM835GE3/TR13-FT |
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel